仪器型号

PHI5500 VersaProbe II

放置地点

伍达观楼211室

资产编号

20141d0235

生产厂商

ULVAC-PHI

国别

日本

仪器负责人

闵春刚

所属单位

分析测试研究中心

详细信息

性能指标

X 射线源：单色化 Al Kα；

最小束斑：Al 源≤5 μm，Cr 源≤14 μm；扫描范围 5–400 μm；

能量分辨率：≤0.48 eV（Al Kα）；

最大灵敏度：≥1,500,000 cps；

探测深度：Al源约10 nm；

深度剖析：支持 Ar单离子溅射；

元素检测含量极限：约为0.1 at.%，相当于约1000 ppm，可检测周期表中除H、He外的所有元素；

成像功能：X射线诱导二次电子成像（SXI），分辨率达5μm。

主要应用

核心应用聚焦七大领域：

（1）能源存储与转换：解析电池电极/电解质界面化学态、Li迁移路径，测定光伏能级，优化能量转换效率；

（2）半导体与微电子：无损分析芯片埋层扩散，定位微区失效点（如焊球氧化），保障器件稳定性；

（3）催化领域：催化剂元素组成、活性位价态；

（4）纳米材料：定量核壳纳米颗粒壳层厚度，分析超晶格层间互混；

（5）有机光电器件：测定OLED/OPV官能团与能级，排查老化诱因；

（6）工业质检：定位 PCB 污染物、分析涂层结合态，溯源焊接失效；

（7）生物/环境材料：验证医用涂层相容性，评估吸附材料对污染物的吸附能力。

样品要求

（1）样品状态：可为粉末、块状、薄膜样品；

（2）粉末样品：20~30 mg；

（3）块状、薄膜样品：块体/薄膜样品尺寸要求：长3~5 mm*宽3~5 mm*厚度小于3mm，务必标注测试面；

（4）液体样品：自己制样（可将液体样品涂到玻璃片或硅片上，玻璃片或硅片尺寸要求：长3~5 mm*宽3~5 mm*厚度0.5~3mm，务必标注测试面），有疑问请咨询测试老师；

（5）特殊需求：样品容易挥发不能测试，具体联系测试老师。

仪器说明

PHI GENESIS型X射线光电子能谱仪，样品台等部件可灵活适配，适合测试多种固体、薄膜等样品。配备先进的X射线源、高灵敏探测器等，具备高灵敏度，能快速且精准捕捉光电子信号。

收费标准

校内用户

（1）光电子能谱：易抽真空的块状样品300元/样，粉末状样品350元/样，分子筛等难抽真空样品400元/样（测试包括XPS宽扫0～1400eV描谱及5个化学元素的窄扫描谱采集，超过5个化学元素，每个元素按50元收费）；

（2）紫外光电子能谱：600元/样；

（3）氩离子溅射：1000元/小时；

（4）数据分析及报告：300元/样品。

校外用户

（1）光电子能谱：易抽真空的块状样品350元/样，粉末状样品400元/样，分子筛等难抽真空样品450元/样（测试包括XPS宽扫0～1400eV描谱及5个化学元素的窄扫描谱采集，超过5个化学元素，每个元素按50元收费）；

（2）紫外光电子能谱：600元/样；

（3）氩离子溅射：1000元/小时；

（4）数据分析及报告：300元/样品。