仪器型号

泰思肯VEGA3 LMU

放置地点

图书馆电镜室

资产编号

2020020236

生产厂商

泰思肯

国别

捷克

仪器负责人

周烈兴

所属单位

分析测试研究中心

性能指标

标配探测器：SE（二次电子），表面形貌成像；BSE（背散射电子），成分对比（原子序数衬度）；EDS能谱仪（元素分析）。

主要应用

扫描电镜可应用于金属材料失效分析、陶瓷材料分析。在矿物、地质、电子、半导体领域，化工、高分子材料领域，医学、生物学领域，以及农、林业等方面都有广泛应用。

样品要求

一、物理性质要求

导电性

（1）导电样品（金属、石墨等）：可直接观测，但表面氧化层可能影响成像，建议超声清洗。

（2）非导电样品（陶瓷、塑料、生物组织）：需喷镀金层。

（3）半导体材料：建议1–5 kV低电压模式，避免电荷积累导致图像畸变。

尺寸与形状

（1）最大尺寸：直径≤200 mm，高度≤80 mm（需适配样品台）。

（2）粉末/颗粒样品：需均匀分散在导电胶带或碳带上，避免团聚影响分辨率。

二、化学性质要求

稳定性

（1）高真空兼容性：样品需耐受≤10⁻³ Pa真空环境，无挥发物（如未固化树脂、溶剂残留）。

（2）电子束敏感性：敏感材料（如有机框架MOFs）建议低剂量模式（FastScan选件）减少损伤。

成分限制

（1）禁止检测：放射性物质、强腐蚀性（如浓酸/碱残留）、磁性材料（未消磁）。

（2）轻元素分析（B/C/N/O）：需优化EDS参数，镀碳膜以提高X射线检出效率。

仪器说明

扫描电镜（SEM）是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观性貌观察手段，可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。扫描电镜的优点是，①有较高的放大倍数，20-2万倍之间连续可调；②有很大的景深，视野大，成像富有立体感，可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构；③试样制备简单。